Tag: 16gb
Układy flash 16GB od Toshiby
2007-04-20 23:35:00| Gery.pl
Toshiba zaprezentowała pierwsze układy flash o pojemności 16GB. Wartość ta została osiągnięta dzięki zamknięciu ośmiu modułów NAND o pojemności 2GB wykonanych w technologii 56 nanometrów w jednym układzie scalonym, wraz z kontrolerem. Miniaturowy chip znajdzie swoje zastosowanie głównie w telefonach komórkowych oraz przenośnych odtwarzaczach plików multimedialnych. Masowa produkcja rozpocznie się jednak nie wcześniej jak w grudniu bieżącego roku. W przeciągu najbliższych dwóch miesięcy firma wprowadzi za to do sprzedaży układ o pojemności 8GB.
Tagi: flash
układy
16gb
toshiby
2007-01-24 21:17:00| Gery.pl
Toshiba przy współpracy z firmą SanDisk wyprodukowała kości pamięci NAND-Flash o największej gęstości zapisu na rynku. Wielkości 8Gb (1GB) i 16GB (2GB) osiągnięto dzięki zastosowaniu wymiaru technologicznego 56 nanometrów. Według producenta, te pierwsze pojawią się masowo w nowych urządzeniach jeszcze w 1 kwartale 2007 roku. Na zastosowanie kości 16Gb przyjdzie nam poczekać do połowy bieżącego roku. Pamięci te znajdziemy także w zapowiadanych przez SanDiska dyskach SSD. Samsung już kilka tygodni temu poinformował o rozpoczęciu produkcji pamięci NAND w wymiarze 50 nanometrów, jednak oferuje on mniejszą gęstość zapisu niż produkt Toshiby.
2007-01-24 21:17:00| Gery.pl
Toshiba przy współpracy z firmą SanDisk wyprodukowała kości pamięci NAND-Flash o największej gęstości zapisu na rynku. Wielkości 8Gb (1GB) i 16GB (2GB) osiągnięto dzięki zastosowaniu wymiaru technologicznego 56 nanometrów. Według producenta, te pierwsze pojawią się masowo w nowych urządzeniach jeszcze w 1 kwartale 2007 roku. Na zastosowanie kości 16Gb przyjdzie nam poczekać do połowy bieżącego roku. Pamięci te znajdziemy także w zapowiadanych przez SanDiska dyskach SSD. Samsung już kilka tygodni temu poinformował o rozpoczęciu produkcji pamięci NAND w wymiarze 50 nanometrów, jednak oferuje on mniejszą gęstość zapisu niż produkt Toshiby.
2007-01-24 21:17:00| Gery.pl
Toshiba przy współpracy z firmą SanDisk wyprodukowała kości pamięci NAND-Flash o największej gęstości zapisu na rynku. Wielkości 8Gb (1GB) i 16GB (2GB) osiągnięto dzięki zastosowaniu wymiaru technologicznego 56 nanometrów. Według producenta, te pierwsze pojawią się masowo w nowych urządzeniach jeszcze w 1 kwartale 2007 roku. Na zastosowanie kości 16Gb przyjdzie nam poczekać do połowy bieżącego roku. Pamięci te znajdziemy także w zapowiadanych przez SanDiska dyskach SSD. Samsung już kilka tygodni temu poinformował o rozpoczęciu produkcji pamięci NAND w wymiarze 50 nanometrów, jednak oferuje on mniejszą gęstość zapisu niż produkt Toshiby.
2007-01-24 21:17:00| Gery.pl
Toshiba przy współpracy z firmą SanDisk wyprodukowała kości pamięci NAND-Flash o największej gęstości zapisu na rynku. Wielkości 8Gb (1GB) i 16GB (2GB) osiągnięto dzięki zastosowaniu wymiaru technologicznego 56 nanometrów. Według producenta, te pierwsze pojawią się masowo w nowych urządzeniach jeszcze w 1 kwartale 2007 roku. Na zastosowanie kości 16Gb przyjdzie nam poczekać do połowy bieżącego roku. Pamięci te znajdziemy także w zapowiadanych przez SanDiska dyskach SSD. Samsung już kilka tygodni temu poinformował o rozpoczęciu produkcji pamięci NAND w wymiarze 50 nanometrów, jednak oferuje on mniejszą gęstość zapisu niż produkt Toshiby.