Tag: mobilnych
Najszybsza pami?? DRAM dla urz?dze? mobilnych
2008-02-12 18:22:00| Gery.pl
Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.
Tagi: dram
mobilnych
pami
najszybsza
2008-02-12 18:22:00| Gery.pl
Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.
Tagi: dram
mobilnych
pami
najszybsza
2008-02-12 18:22:00| Gery.pl
Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.
Tagi: dram
mobilnych
pami
najszybsza
2008-02-12 18:22:00| Gery.pl
Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.
Tagi: dram
mobilnych
pami
najszybsza
2008-02-12 18:22:00| Gery.pl
Korzystaj?c z okazji kongresu Mobile Week w Barcelonie, Micron poinformowa? o wprowadzeniu do swojej oferty najszybszych pami?ci DRAM o pojemno?ci 512Mb dla urz?dze? przeno?nych. Chip zamkni?ty w standardowej obudowie mo?e pracowa? z zegarem 200MHz i oferuje przepustowo?? na poziomie 400MB/s. Co wi?cej poza standardowym napi?ciem 1.8V, mo?liwa jest równie? praca przy napi?ciu 1.2V. Zwi?kszono równie? zakres temperatur w jakich pami?? dzia?a poprawnie (-40 do +85 stopni Celsjusza). Masowa produkcja rozpocznie si? w drugim kwartale 2008 roku.
Tagi: dram
mobilnych
pami
najszybsza
Strony : [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] [21] [22] [23] [24] [25] następna »