Tag: lepsze
Lepsze pami?ci NAND od SanDiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska