Tag: pamici
Lepsze pami?ci NAND od SanDiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-07 22:45:00| Gery.pl
SanDisk poinformowa? wczoraj o dwóch znacz?cych krokach w tworzeniu pami?ci NAND MLC (multi-level cell), które prowadz? do obni?enia kosztów produkcji. Pierwszy z nich to przej?cie na wymiar technologiczny 43 nanometrów, który pozwala na podwojenie g?sto?ci zapisu i wytworzenie z takiego samego wafla krzemu modu?y o blisko dwa razy wi?kszej pojemno?ci w stosunku do aktualnie stosowanej technologii 56 nm. Pierwsze tego typu pami?ci produkowane wspólnie z Toshib? pojawi? si? na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Na prze?omie marca i kwietnia powinny tak?e zadebiutowa? modu?y typu 3-bit-per-cell, które w jednej komórce pami?ci mog? zapisa? trzy bity, a nie jak dot?d dwa. Pozwoli to na dalsze zwi?kszenie g?sto?ci zapisu i oszcz?dno?? oko?o 20% wafla krzemowego w porównaniu ze standardowymi pami?ciami wykonanymi w technologii 56 nm. Informacji o rozpocz?ciu masowej produkcji tego typu pami?ci jeszcze nie podano.
Tagi: lepsze
nand
pamici
sandiska
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
Strony : [27] [28] [29] [30] [31] [32] [33] [34] [35] [36] [37] [38] [39] [40] [41] [42] [43] [44] [45] [46] następna »