Znajdz wiadomosci na wybrany temat:
Slowa kluczowe:

Tag: micron
Kości Micron w kartach grafiki

2009-05-15 18:14:00| Gery.pl

Obecny numer 3 światowej produkcji pamięci, firma Micron Technology zapowiedziała, że ma zamiar rozpocząć produkcję kości pamięci do kart graficznych, rozpoczynając tym samym konkurencję z Samsungiem i Hyniksem. Micron zajmie się głównie wytwarzaniem chipów dla kart NVIDIA. 'Nasz technologia 50 nm jest bardzo konkurencyjna, jeśli idzie o zużycie energii i wydajność,' powiedział Robert Feurle, zastępca szefa marketingu Micron. 'Myślę, że to dobry moment na rozpoczęcie dyskusji z NVIDIA i AMD,'. 'Nie zostały jeszcze podjęte decyzje, jednak myślimy o tym bardzo poważnieo,' - dodał. Plany zakładają rozpoczęcie produkcji kości GDDR3 o prędkościach od 1600MHz wzwyż. Po tym fakcie, zostaną rozważone możliwości przejścia do produkcji chipów GDDR5. Na dzień dzisiejszy Micron nie ujawnia więcej szczegółów.

Tagi: micron grafiki kości kartach

Micron RealSSD - kolejne dyski SSD

2009-03-24 22:07:00| Gery.pl

Micron dołączy niedługo do grona producentów, którzy będą mieli w swojej ofercie dyski SSD. Firma dzisiaj zaprezentowała pierwsze prototypy, a od drugiego kwartału bieżącego roku rozpocznie masową produkcję. W ofercie pojawią się dwa modele, P200 (P od Professional) wyposażony w pamięci SLC, który ma oferować transfery rzędu 180MB/s przy odczycie i 115MB/s przy zapisie oraz pojemność od 25 do 100GB, a także model C200 (C od Client) wyposażony w pamięci MLC i przeznaczony na rynek konsumencki. Ten drugi model będzie oferowany w pojemnościach od 30 do 240GB i charakteryzuje się odczytem na poziomie 170MB/s oraz prędkością zapisu równą 70MB/s. P200 dostępny będzie w obudowie 2.5 cala i będzie oferował interfejs Serial ATA 3Gbps oraz MTBF na poziomie 2 milionów godzin. C200 oferowany będzie w rozmiarach 2.5 i 1.8 cala i również wyposażony zostanie w interfejs Serial ATA 3Gbps. Ceny obu modeli nie są jeszcze znane.

Tagi: micron kolejne dyski ssd

Micron rozpoczął dostawy pamięci flash 34 nm

2009-02-14 17:14:00| Gery.pl

Micron rozpoczął właśnie dostawy sampli pamięci flash o pojemności 16GB, które wykonane są w wymiarze technologicznym 34 nm. Dzięki temu w standardowej obudowie BGA udało się zmieścić osiem warstw pamięci NAND, co pozwoli producentom zamontować więcej pamięci wewnętrznej bez konieczności zwiększania grubości telefonu. Poza pamięcią MLC, układ posiada też 256MB pamięci wykonanej w technologii signle-level cell (SLC), która jest szybsza i bardziej żywotna, a może zostać przeznaczona dla najczęściej używanych aplikacji. Masowa produkcja rozpocznie się do końca marca, nie wiadomo jednak kto może być chętny na zakup nowych chipów. Obecnie na rynku są już podobne układy od Toshiby i Intela, które oferują 32GB, jednak wymiarowo zajmują większą powierzchnie.

Tagi: flash nm micron pamięci

Intel i Micron coraz bliżej pamięci NAND w 34nm

2008-11-25 14:09:00| Gery.pl

Intel i Micron jeszcze w maju zapowiadali pamięci NAND wykonane w wymiarze technologicznym 34nm i jak się okazuje obie firmy są coraz bliżej finalnego produktu. W fabrykach powstają już pierwsze sample pamięci o pojemności 32Gb, czyli 4GB, które mogą być łączone w 8 na warstwie, a dzięki obudowie typu TSOP możliwe jest zamknięcie w jednym układzie dwóch takich warstw, co daje pojemność 64GB. Intel i Micron w przypadku tych pamięci wykorzystuje technologię multi-level cell. Obie firmy zapewniają, że dzięki zmniejszeniu wymiaru, możliwe będzie zaoferowanie urządzeń o większej pojemności i mniejszym poborze energii, a także obniżenie ceny dysków SSD. Pierwszych produktów z nowymi pamięciami możemy spodziewać się na początku przyszłego roku.

Tagi: intel micron pamięci coraz

Intel i Micron przyspieszaj? pami?ci NAND

2008-02-03 00:00:00| Gery.pl

Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.

Tagi: intel micron nand intel micron

Strony : [1] [2] [3] [4] [5] [6] następna »