Tag: intel micron
Intel i Micron coraz bliżej pamięci NAND w 34nm
2008-11-25 14:09:00| Gery.pl
Intel i Micron jeszcze w maju zapowiadali pamięci NAND wykonane w wymiarze technologicznym 34nm i jak się okazuje obie firmy są coraz bliżej finalnego produktu. W fabrykach powstają już pierwsze sample pamięci o pojemności 32Gb, czyli 4GB, które mogą być łączone w 8 na warstwie, a dzięki obudowie typu TSOP możliwe jest zamknięcie w jednym układzie dwóch takich warstw, co daje pojemność 64GB. Intel i Micron w przypadku tych pamięci wykorzystuje technologię multi-level cell. Obie firmy zapewniają, że dzięki zmniejszeniu wymiaru, możliwe będzie zaoferowanie urządzeń o większej pojemności i mniejszym poborze energii, a także obniżenie ceny dysków SSD. Pierwszych produktów z nowymi pamięciami możemy spodziewać się na początku przyszłego roku.
Tagi: intel
micron
pamięci
coraz
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
2008-02-03 00:00:00| Gery.pl
Je?li uwa?acie, ?e pami?ci NAND wykorzystywane mi?dzy innymi do budowy dysków SSD s? ju? wystarczaj?co szybkie to zapewne zdziwi Was fakt, ?e Intel i Micron chc? je jeszcze bardziej przyspieszy?. I nie chodzi tu o wzrost o kilka procent, a o ca?e 5 razy (500%). Nowy standard ONFI 2.0 przewiduje wzrost pr?dko?ci podczas odczytu do 200MB/s, a podczas zapisu do 100MB/s przy wykorzystaniu jednej komórki. Dla porównania obecna generacja pami?ci NAND osi?ga odpowiednio 40MB/s przy odczycie i 20MB/s przy zapisie. Wed?ug organizacji Open NAND Flash Interface Working Group zwi?kszenie pr?dko?ci osi?gni?to g?ownie dzi?ki przy?pieszeniu komunikacji z buforem (szyna przesy?a dane po dwóch zboczach zegara, podobnie jak w przypadku pami?ci DDR) oraz lepszej synchronizacji, która pozwoli na osi?gni?cie wy?szych zegarów. Niestety nie podano najwa?niejszej informacji, kiedy nowy typ pami?ci mo?e trafi? do masowej produkcji i sprzeda?y.
Tagi: intel
micron
nand
intel micron
Strony : [1] [2] [3] [4] [5] następna »